操作方法
如下图所示。
当VGS<Vt时,则MOS管处于截止区。就是说当栅源电压低于阈值电压时,则管子不导通。
当Vt<VDS<VGS时,MOS管处于三极管区。这时MOS管相当于一个小的电阻。
当VGS-Vt<VDS时,MOS管处于饱和区。如果不考虑EARLYEFFECT,我们可以认为漏端电流与VDS无关。
如下图所示。
当VGS<Vt时,则MOS管处于截止区。就是说当栅源电压低于阈值电压时,则管子不导通。
当Vt<VDS<VGS时,MOS管处于三极管区。这时MOS管相当于一个小的电阻。
当VGS-Vt<VDS时,MOS管处于饱和区。如果不考虑EARLYEFFECT,我们可以认为漏端电流与VDS无关。
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