Orcad/Pspice电路设计：[2]提取MOSFET参数λ

新建工程，绘制电路图

查看NMOS模型的相关参数。点击NMOS，右键选择Edit Pspice Model，了解NMOS的Vth0

设置全局变量L。双击PARAMETERS,点击New Column，输入参数名和值，点击OK；选中L,点击display，选择Name and Value。

设置全局变量Von，输入参数名和值，点击OK；选中Von,点击display，选择Name and Value。

设置电路中电源电压，及MOS管的宽长比。V1电源电压设置为NMOS的Vth0+Von即｛0.4547+Von｝，这样就可以直观方便的调整Von，宽长比自行设定

创建新的仿真，进行仿真。

进行直流仿真，选择DC Sweep。扫描电压V2，V2的变化范围从0.1V到2.8V，步长为1mV。

点击run图标进行仿真，出现Probe模块

点击Trace/Add Trace 或者直接点击Add Trace图标，在Trace Expression中填写函数表达式，确定显示波形的函数。

由于r0=1/λId=1/(δId/δVds) ，所以λ=D(Id)/Id。  PS.δ表示导数，D(Id)为对Id作关于横轴Vds的求导。 所以输入的公式是D(ID(MN6)) / ID(MN6)，点击OK出现相应的绿色曲线，此时是Von为0.3V时λ与Vds的关系。通过改变前面全局变量Von、L的取值，就可以找到对应条件下的λ了